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高溫低氣壓試驗(yàn)箱滿足哪些國(guó)內(nèi)外試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)

更新時(shí)間:2022-05-16      點(diǎn)擊次數(shù):2099

低氣壓.jpg


高低溫低氣壓試驗(yàn)箱滿足哪些國(guó)內(nèi)外試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)

  使用高低溫低氣壓試驗(yàn)箱在國(guó)內(nèi)外需要參考那些標(biāo)準(zhǔn)及適用范圍介紹如下:

  一、國(guó)內(nèi)外低氣壓(高度)試驗(yàn)的主要標(biāo)準(zhǔn)

  GB/T2423.25-1992 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Z/AM:低溫/低氣壓綜合試驗(yàn)方法

  GB/T2423.26-1992 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Z/BM :高溫/低氣壓綜合試驗(yàn)方法

  GB2423.27-2005 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Z/AMD:低溫/低氣壓/濕熱連續(xù)綜合試驗(yàn)方法

  GB/T2424.15-2008 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程溫度/低氣壓綜合試驗(yàn)導(dǎo)則

  GJB 150.2-1986 Jun用設(shè)備環(huán)境試驗(yàn)方法 低氣壓(高度)試驗(yàn)

  GJB 150.2A-2009 Jun用裝備實(shí)驗(yàn)室環(huán)境試驗(yàn)方法 第二部分 低氣壓(高度)試驗(yàn)

  GJB 360B-2009 電子及電氣元件試驗(yàn)方法 方法 105 低氣壓試驗(yàn)(等效美軍標(biāo)MIL-STD-202F)

  GJB 548B-2005 微電子器件試驗(yàn)方法和程序 方法1001 低氣壓(高空工作)(等效美軍標(biāo)MIL-STD-883D)

  HB 6167.2-1989 民用飛機(jī)機(jī)載設(shè)備環(huán)境條件和試驗(yàn)方法 溫度和高度試驗(yàn)

  HB 6167.2-2014 民用飛機(jī)機(jī)載設(shè)備環(huán)境條件和試驗(yàn)方法 第2部分:溫度和高度試驗(yàn)

  MIL-STD-202F-1998,電子及電氣元件試驗(yàn)方法

  MIL-STD-810C/F/G環(huán)境工程相關(guān)事項(xiàng)及實(shí)驗(yàn)室測(cè)試

  MIL-STD-883D-2005,微電子器件試驗(yàn)方法和程序

  RTCA/DO-160G Environmental Conditions andTest Procedures for Airborne Equipment Section 4.0 Temperature and Altitude(機(jī)載設(shè)備環(huán)境條件和試驗(yàn)方法)


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